真空鍍膜設(shè)備主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。

　　需要鍍膜的被成為基片，鍍的材料被成為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。

　　蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程(散點(diǎn)-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長)形成薄膜。 對(duì)于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來，并且最終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過蒸發(fā)鍍膜設(shè)備+所鍍產(chǎn)品圖蒸發(fā)鍍膜設(shè)備+所鍍產(chǎn)品圖程，最終形成薄膜。