真空電鍍機(jī)應(yīng)用和注意事項(xiàng)

　　1)真空電鍍機(jī)中頻磁控濺射電源對(duì)磁控濺射靶的要求較高，“孿生”的對(duì)靶，要求表面磁場(chǎng)、濺射面積、靶的材質(zhì)和厚度要盡可能一致。不然會(huì)影響電源工作，嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致過(guò)流保護(hù)。

　　2)由于兩個(gè)靶交替工作，中頻磁控濺射電源的起輝電壓和工作電壓較高，低氣壓下也容易出現(xiàn)滅輝現(xiàn)象。

　　3)因兩個(gè)靶交替工作，從理論上講中頻磁控濺射電源的電流或功率選擇，基本上可以按直流磁控濺射的兩倍來(lái)定，但考慮到其工作電壓較高，可適當(dāng)降低工作電流。

　　4)由于目前中頻磁控濺射電源的工作頻率較低(20～60KHz)，還不能濺射絕緣靶材。

　　5)中頻磁控濺射電源的空載電壓一般為≥1000V～1200V，工作電壓為500V～800V，工作頻率為20KHz～60KHz,占空比為10%～90%。

　　6)工作頻率高一些，有利于增加打火抑制能力，但會(huì)限制電源輸出平均電流的能力。

　　4、送氣系統(tǒng):主要由電磁閥開關(guān)和氣體流量控制兩部分組成

　　5、偏壓電源：在多弧離子和磁控濺射鍍膜技術(shù)中都要使用。只是由于磁控濺射的離化率遠(yuǎn)低于多弧離子鍍，所需偏壓電源的功率更小。目前有許多設(shè)備既配備磁控濺射靶，也配有多弧靶，選擇偏壓電源功率時(shí)，要以多支工作時(shí)的要求來(lái)定。早期的偏壓電壓主要是用可控硅技術(shù)的直流偏壓電源，現(xiàn)在多為采用高頻逆變技術(shù)制造的單極性、直流疊加脈沖和雙極性脈沖偏壓電源。因滅弧和防打火功能太差，已經(jīng)逐漸被淘汰。偏壓電源主要用于多弧離子和磁控濺射鍍膜過(guò)程中的輝光清洗、離子轟擊和膜層沉積時(shí)在被鍍工件上施加偏壓，在輝光清洗時(shí)，它產(chǎn)生輝光;在離子轟擊中用于加速離子，提高離子轟擊工件表面進(jìn)的能量，達(dá)到嗇濺射清洗效果和膜層結(jié)合力的目的，在膜層沉積時(shí)，它也用于增加離子能量，促進(jìn)和改善薄膜生長(zhǎng)，也會(huì)提高膜基結(jié)合力。

　　1)通用單極性脈沖偏壓電源的輸出電壓為100～1000V,頻率為20～80KHz，占空比為10%～80%，輸出電流取決于多弧靶的數(shù)量和弧流的大小。通?？砂?～5A/個(gè)選取，而只用于磁控濺射鍍膜的偏壓電源。則根據(jù)工件表面積和輝光放電清洗強(qiáng)度來(lái)選，通常可按5A/m2左右來(lái)選取。

　　2)調(diào)高頻率和減小占空比能減小打火損傷和降低工件表面的溫度、輝光放電清洗和離子轟擊的效果。實(shí)際使用中要根據(jù)實(shí)際工作情況和需要來(lái)調(diào)節(jié)。

　　3)增大占空比可提高離子轟擊的能量，有利于提高膜基結(jié)合力和膜層的致密性，但會(huì)降低成膜速率，實(shí)際使用中要根據(jù)需要調(diào)節(jié)、

　　4)輝光清洗電壓大約500～1000V，離子轟擊電壓大約400～800V，成膜電壓大約50～300V，在工模具鍍膜中，也有采用1500V，3000V,甚至5000V偏壓電源的，但應(yīng)用較少。

　　5)工作中如出現(xiàn)低壓大電流現(xiàn)象或反復(fù)保護(hù)，電壓、電流不穩(wěn)定現(xiàn)象，很可能設(shè)備有短路和持續(xù)拉弧現(xiàn)象，應(yīng)進(jìn)行維修。

　　6)工作中打火頻繁。而且提高頻率和占空比也無(wú)明顯改善時(shí)，可能是膜層絕緣性高或工件上有絕緣材料，這時(shí)好選用雙極性脈沖偏壓電源。