磁控濺射目前是一種應(yīng)用十分廣泛的薄膜沉積技術(shù)，濺射技術(shù)上的不斷發(fā)展和對新功能薄膜的探索研究，使磁控濺射應(yīng)用延伸到許多生產(chǎn)和科研領(lǐng)域。在微電子領(lǐng)域作為一種非熱式鍍膜技術(shù)，主要應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積(CVD)或金屬有機化學(xué)氣相沉積(MOCVD)生長及不適用的材料薄膜沉積，而且可以獲得大面積非常均勻的薄膜。

　　包括歐姆接觸的Al、Cu、Au、W、Ti等金屬電極薄膜及可用于柵絕緣層或擴散勢壘層的TiN、Ta2O5、TiO、Al2O3、ZrO2、AlN等介質(zhì)薄膜沉積。光學(xué)薄膜應(yīng)用反應(yīng)磁控濺射技術(shù)已有多年，中頻閉合場非平衡磁控濺射技術(shù)也已在光學(xué)薄膜(如增透膜)、低輻射玻璃和透明導(dǎo)電玻璃等方面得到應(yīng)用。特別是透明導(dǎo)電玻璃目前廣泛應(yīng)用于平板顯示器件、太陽能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。

　　透明導(dǎo)電玻璃在玻璃基片或柔性襯底上，濺射制備SiO2薄膜和摻雜ZnO或InSn氧化物(ITO)薄膜。ITO薄膜最低電阻率接近1025Ω·cm量級，可見光范圍內(nèi)平均光透過率在90%以上。在光學(xué)存儲領(lǐng)域，光盤存儲自推出以來技術(shù)不斷更新，磁控濺射也從鍍制CD2ROM的Al及CD2R的Au或Ag的光反射層，到CD2RW中鍍制ZnS2SiO2/GeSbTe(或AgInSbTe)/ZnS2SiO2/Al多層結(jié)構(gòu)光記錄媒介膜。

　　目前隨著對光存儲的需求大幅度的增加，磁控濺射鍍膜機磁控濺射在光學(xué)存儲領(lǐng)域?qū)l(fā)揮更大的作用。在現(xiàn)代機械加工工業(yè)中，表面功能膜、超硬膜，自潤滑薄膜的表面沉積技術(shù)自問世以來得到長足發(fā)展，能有效的提高表面硬度、復(fù)合韌性、耐磨損性和抗高溫化學(xué)穩(wěn)定性能，從而大幅度地提高涂層產(chǎn)品的使用壽命，應(yīng)用越來越廣泛。